中国在先进工艺研发多方面受阻，但在芯片新材料研发多方面弯道超车

央视财经报道指中国人电科的锗（SiC）器件装车生产量早就达到100万台，这是中国人在第三代自由电子元件塑料不足之处所得到的重大超越，却是中国人在第三代自由电子元件塑料不足之处已停下来在在世界上前列。这对于或许中国人CPU企业因为众所周知的原因无法拿到EUV光刻机的可能无疑明示了最初道路。

第三代自由电子元件塑料主要有SIC和GAN，这些自由电子元件塑料很强极低杀伤电流、极低增高自由电子更是快、极低比热、极低过渡态、极低介电常数等特点，引人注意较难光伏行业，随着这类自由电子元件的兴起，电动车下一代发挥作用加压5分钟续航200公里将不时会是梦想。

第三代自由电子元件塑料现阶段还处于起步期中，如此可能下中国人和欧美各国就也就是说处于同一水平，各有占有优势，英国在第三代自由电子元件不足之处确实说是布置最全面的，欧洲在电力自由电子市场有较大话语权，我国则在LED、光伏不足之处居于全球性第一。

第三代自由电子元件无需或许全球性最技术的5nm、7nm等技术塑料，这点对于中国人来说尤为极其重要，如此可能下中国人发展第三代自由电子元件将不受海外CPU自由电子元件的受到限制，而且相对于硅基CPU来说，CPU塑料开发难度也小很多，利于中国人发挥作用弯道超车。

由此中国人自由电子元件同业在第三代自由电子元件不足之处已造就一大批企业，天岳技术、三安光电、闻泰科技等是其中广为人知的企业，随着这些企业在第三代自由电子元件共同开发不足之处得到的发展，中国人的CPU自由电子技术在飞速跃进，彰显的就是近几年中国人的电动车较慢加压子技术在急速进一步提高，从5即已的加压4小时到现如今较慢相比之下半小时了。

中国人在第三代自由电子元件塑料不足之处所得到的成就，还将有助于中国人共同开发第四代自由电子元件塑料，因为CPU文化产业是一条更加稍长的文化产业，而塑料共同开发不足之处本身就是一条极其重要的文化产业，在此之后中国人由于基础薄弱，塑料科研重大超越自由电子元件、塑料制造自由电子元件、塑料共同开发理论等不足之处都或多或少短缺，而经过第三代自由电子元件塑料的共同开发，中国人形成了自己的塑料共同开发文化产业。

现阶段第四代自由电子元件塑料共同开发早就展开探索，据理解第四代自由电子元件塑料还包括锑化铟（InSb）、锑化碲（GaSb）、水解碲（Ga2O3）、纳米等等，这些将最终改变当前的CPU自由电子技术，早前英国公司总部；也企业拿到英国CPU补贴就蓝图将纳米自由电子技术引入CPU企业，预计重新加入分子结构后可将90nm塑料的CPU效率进一步提高到7nm硅基CPU的50倍，可见第三代自由电子元件塑料对于CPU企业的变革。

在第四代自由电子元件塑料不足之处，却是中国人也不落后于欧美各国，三星等企业先是就早就布置纳米自由电子技术共同开发，三星早在2015年就与全球性领先的英国曼彻斯特大学国家纳米研究员共同开发共同开发纳米自由电子技术，现阶段已得到一定的重大超越，并将纳米自由电子技术广泛应用风扇、电池不足之处。

在第三代自由电子元件塑料得到超越的一新，现如今中国人共同开发第四代自由电子元件塑料无疑时会比之前更是为顺手，文化产业配套也更是比较完善，而中国人率先将已得到的大部分重大超越应用起来可以增加收入带动第四代自由电子元件塑料要发离开良性循环期中，这样将比仅靠国家补贴顺利进行共同开发更是极低效。

可以说欧美各国在硅基CPU不足之处处处顾忌，不仅无法阻挠中国人CPU前行的追随，反而成为中国人CPU同业奋进的动力，下一代当中国人在第三代、第四代自由电子元件塑料不足之处真正得到超越的时候，当前的CPU体系将最终被颠覆，而中国人到从前将东站在CPU企业之巅。