惠普公司3nm：卡壳了

时间：2023-04-19 12:17:47

来源：驱动之家

10月末19日消息，据舆论路透社，在将3nmDRAM材料的试作间隔时间由外间预计的9月末底中止到四季度下旬最后，当前全球最大者的晶圆代自营英特尔，将终于将这一先进DRAM材料的试作间隔时间中止3个月末。

英特尔将3nmDRAM材料的试作间隔时间最后中止3个月末，是由韩国率先开始路透社的。如果再进一步中止3个月末，试作间隔时间就将碰到明年。

在上周四的三季度税后分析师电话会议上，英特尔CEO魏哲家曾谈到3nmDRAM材料的试作事宜。曾经他表示他们时是加速在四季度下旬，以相当多的良品率试作，在小型化量度和智能手机应用的推动下，他预计生产成本在2023年将稳步提升。

但舆论在路透社中写道，先前有路透社称英特尔的3nmDRAM材料在9月末底前后就将试作，魏哲家透露的四季度下旬，较他们的预计仅有中止。

对于3nmDRAM材料的试作间隔时间由舆论预计的9月末底中止到四季度下旬，韩媒称主要是因为设备的交付使用出现了难题，加剧他们的供应能够，只能满足零售商的需求。

但在不断更新的路透社中，舆论未曾披露英特尔3nmDRAM材料试作间隔时间最后中止的理由。

据闻，三星未曾在6月末30日投入生产3nm GAA（全环绕线圈电晶体）晶片，7月末25日时是式供货。

出版人：赵科峰 ST030