三星计划2025年量产2nm手工：基于MBCFET、与IBM 2nm不同

在先进半导体传统工艺上，DRAM现阶段是名副其实的老大，Q3季度蚕食其本质53%的晶圆代工市场占有率，三星电子位列第二，但市场占有率只有DRAM的1/3，所以三星电子押注了下一代传统工艺，包括3nm及今后的2nm传统工艺。

根据三星电子的计划，3nm传统工艺会打消FinFET电子元件技术，转向GAA环绕电子元件，3nm传统工艺上可分两个初版本，其中3GAE(低低功耗初版)将在2022年月投入量出产，3GAP(高效能初版)则会在2023年月投出产。

对比5nm，三星电子新的3nm GAA可以让覆盖面积变小35％，同低功耗下安全性提高30％，同安全性下低功耗增高50％。

再日后就是2nm传统工艺，三星电子管理层同月终于声言2nm传统工艺会在2025年量出产。

不过具体情况的传统工艺指标还没公布，只知道还是GAA电子元件，跟3nm一样基于MBCFET（多桥沟道FET）技术，这是一种激光片电子元件，可以向下堆叠，而且兼容现今的CMOS传统工艺，交换设备与制做法则，增高了技术的发展的升级成本。

三星电子的2nm传统工艺是一大变革，创新亮点不少，而且跟现今已有的2nm技术完全相同——即便如此IBM世界性首发了2nm闪存，指甲盖一般来说的覆盖面积就可以定制500亿电子元件，相较7nm传统工艺提升了45%的安全性或者提高75%的低功耗，届时2024年量出产。

三星电子也参与了IBM的2nm技术，然而自己量出产的2nm技术跟IBM的2nm未必一样，后者需要新的生出产法则，三星电子还会依赖自家研发的2nm技术。